SI4913DY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8SOIC
部件编号:
SI4913DY-T1-GE3
制造商:
Vishay / Siliconix
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8SOIC
RoHS:
YES
SI4913DY-T1-GE3 规格
安装类型:
Surface Mount
供应商设备包:
8-SOIC
包装/箱:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性:
Logic Level Gate
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss):
20V
配置:
2 P-Channel (Dual)
功率 - 最大:
1.1W
Vgs(th)(最大值)@Id:
1V @ 500µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
7.1A
Rds On(最大)@Id、Vgs:
15mOhm @ 9.4A, 4.5V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
65nC @ 4.5V
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制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
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