SI4896DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
部件编号：
SI4896DY-T1-GE3
替代型号：
SI7315DN-T1-GE3 , FDS3572 , MX25U6432FM2I02 , SI4946BEY-T1-GE3 , IRF7493TRPBF , AP2127K-3.3TRG1 , ADUM4121-1ARIZ , IL 3122-3E , MIC4104YM , SS8PH10-M3/86A , 0705410077 , DCR010505U , M80-5101042 , STWD100NYWY3F , TLP293(GB-TPL , E
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
RoHS：
YES
SI4896DY-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
6V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
80 V
功耗（最大）：
1.56W (Ta)
Vgs(th)（最大值）@Id：
2V @ 250µA (Min)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
41 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
16.5mOhm @ 10A, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6.7A (Ta)
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