SI4850EY-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
部件编号：
SI4850EY-T1-GE3
替代型号：
SI4850EY-T1-E3 , FDS5351 , DMT6016LSS-13 , SI4848DY-T1-GE3 , SI4436DY-T1-GE3 , TPS23754PWP
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
RoHS：
YES
SI4850EY-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
3V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6A (Ta)
功耗（最大）：
1.7W (Ta)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
27 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
22mOhm @ 6A, 10V
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