SI4829DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2A 8SO
部件编号:
SI4829DY-T1-GE3
制造商:
Vishay / Siliconix
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET P-CH 20V 2A 8SO
RoHS:
YES
SI4829DY-T1-GE3 规格
安装类型:
Surface Mount
供应商设备包:
8-SOIC
包装/箱:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型:
P-Channel
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
2.5V, 4.5V
漏源电压 (Vdss):
20 V
Vgs(最大):
±12V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
2A (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id:
1.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
8 nC @ 10 V
场效应管特性:
Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大):
2W (Ta), 3.1W (Tc)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
210 pF @ 10 V
Rds On(最大)@Id、Vgs:
215mOhm @ 2.5A, 4.5V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
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国际价格
2500
0.22
550
5000
0.21
1050
12500
0.2
2500
25000
0.19
4750
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