SI4823DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.1A 8SO
部件编号：
SI4823DY-T1-GE3
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 20V 4.1A 8SO
RoHS：
YES
SI4823DY-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
2.5V, 4.5V
漏源电压 (Vdss)：
20 V
Vgs（最大）：
±12V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
12 nC @ 10 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.5V @ 250µA
场效应管特性：
Schottky Diode (Isolated)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4.1A (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
660 pF @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
108mOhm @ 3.3A, 4.5V
功耗（最大）：
1.7W (Ta), 2.8W (Tc)
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制造商标准交期：待定
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