SI4812BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
部件编号：
SI4812BDY-T1-GE3
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
RoHS：
YES
SI4812BDY-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
30 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
3V @ 250µA
功耗（最大）：
1.4W (Ta)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
7.3A (Ta)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
13 nC @ 5 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
16mOhm @ 9.5A, 10V
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：1600
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