IPB80P03P405ATMA1
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
部件编号：
IPB80P03P405ATMA1
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
RoHS：
YES
IPB80P03P405ATMA1 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
漏源电压 (Vdss)：
30 V
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
80A (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
130 nC @ 10 V
供应商设备包：
PG-TO263-3-2
Rds On（最大）@Id、Vgs：
4.7mOhm @ 80A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
10300 pF @ 25 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 253µA
功耗（最大）：
137W (Tc)
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：1600
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