IPB70N10S3L12ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
部件编号：
IPB70N10S3L12ATMA1
替代型号：
AUIR2085STR , TLE9180D31QKXUMA1 , AUIRB24427STR , STM32H745XIH6 , BUK7Y7R8-80EX , IPD30N10S3L34ATMA1 , BM02B-GHS-TBT , B2B-PH-SM4-TB , DMN3009SK3-13 , SZMMSZ5270BT1G , VS-3EGU06WHM3/5BT , NCP1117ST33T3G , MCS1806GS-5-50-Z , LTC3862HFE#PBF , LT3990EDD#TRPBF , V8PAM10S-M3/H , PMEG2005EGWX , V40DM60CHM3/I
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
RoHS：
YES
IPB70N10S3L12ATMA1 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
80 nC @ 10 V
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
功耗（最大）：
125W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
70A (Tc)
供应商设备包：
PG-TO263-3-2
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.4V @ 83µA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
5550 pF @ 25 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
11.8mOhm @ 70A, 10V
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标准包装数量：21576
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