IPB60R380C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
部件编号：
IPB60R380C6ATMA1
替代型号：
LM2577S-ADJ/NOPB , PMLL4148L , 115 , IPB60R190C6ATMA1 , BNX016-01 , BLM21PG600SN1D , CBP-1000F+ , ERA-2+ , PHA-1H+
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
RoHS：
YES
IPB60R380C6ATMA1 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
漏源电压 (Vdss)：
600 V
供应商设备包：
PG-TO263-3
功耗（最大）：
83W (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
32 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
700 pF @ 100 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
10.6A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
380mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id：
3.5V @ 320µA
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标准包装数量：1600
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