IPA60R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
部件编号：
IPA60R190C6XKSA1
替代型号：
IPA60R190P6XKSA1 , IPP60R190C6XKSA1 , IPW60R190C6FKSA1 , 2EDN7524FXTMA1 , 2EDN7523FXTMA1
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
RoHS：
YES
IPA60R190C6XKSA1 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
63 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)：
600 V
包装/箱：
TO-220-3 Full Pack
功耗（最大）：
34W (Tc)
供应商设备包：
PG-TO220-FP
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
20.2A (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1400 pF @ 100 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
190mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id：
3.5V @ 630µA
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标准包装数量：1600
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