IXTP6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
部件编号：
IXTP6N100D2
替代型号：
IXTP08N100D2 , STP8NK100Z , IXTH6N100D2 , IXTP6N50D2 , IXTH6N50D2 , IXTH16N50D2 , IXTP3N50D2 , IXTP3N100D2
制造商：
Littelfuse / IXYS RF
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
RoHS：
YES
IXTP6N100D2 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
TO-220-3
漏源电压 (Vdss)：
1000 V
供应商设备包：
TO-220-3
功耗（最大）：
300W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6A (Tc)
场效应管特性：
Depletion Mode
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
95 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
2650 pF @ 25 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
2.2Ohm @ 3A, 0V
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标准包装数量：1600
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