IXTY1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
部件编号:
IXTY1R6N100D2
替代型号:
IXTY1R6N100D2-TRL  ,  IXTY1R6N100D2-TRL  ,  IXTY01N100  ,  STY145N65M5  ,  IXTA1R6N100D2  ,  IXTA1R6N100D2HV  ,  RCU-0C  ,  TPSMB530CA-A  ,  STD2N105K5  ,  IXTA3N100D2  ,  RN102-0.3-02-12M  ,  IXTA08N100D2  ,  ECS-2520MVLC-081.92-BN-TR  ,  IXTP1R6N100D2  ,  TPSMB440CA-A  ,  IXTY01N100D-TRL
制造商:
Wickmann / Littelfuse
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
RoHS:
YES
IXTY1R6N100D2 规格
安装类型:
Surface Mount
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(最大):
±20V
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss):
1000 V
包装/箱:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备包:
TO-252AA
功耗(最大):
100W (Tc)
场效应管特性:
Depletion Mode
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
27 nC @ 5 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
1.6A (Tc)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
645 pF @ 25 V
Rds On(最大)@Id、Vgs:
10Ohm @ 800mA, 0V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
数量
单价
国际价格
1
3.89
3.89
70
3.08
215.6
140
2.64
369.6
560
2.35
1316
1050
2.01
2110.5
2030
1.89
3836.7
5040
1.82
9172.8
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