IXTH6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
部件编号：
IXTH6N100D2
替代型号：
IXTH10N100D2 , IRG7PG35UPBF , IXTA6N100D2 , IXFX32N100P , STW7N105K5 , APT1001RBVRG , IXTH16N10D2 , IRFPG40PBF , IXTH16N50D2 , DN2540N5-G , ZXTP19060CFFTA , IXTH16N20D2 , DN2535N3-G , RUEF250 , APT8M100B
制造商：
Littelfuse / IXYS RF
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
RoHS：
YES
IXTH6N100D2 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
1000 V
包装/箱：
TO-247-3
功耗（最大）：
300W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6A (Tc)
供应商设备包：
TO-247 (IXTH)
场效应管特性：
Depletion Mode
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
95 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
2650 pF @ 25 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
2.2Ohm @ 3A, 0V
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标准包装数量：2179
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