IXTA1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
部件编号：
IXTA1R6N100D2
替代型号：
IXTA1R6N100D2-TRL , IXTA1R6N100D2-TRL , IXTA1R6N100D2HV , IXTY1R6N100D2 , IXTA3N100D2 , IXTA08N100D2 , IXTA1N170DHV
制造商：
Littelfuse / IXYS RF
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
RoHS：
YES
IXTA1R6N100D2 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
1000 V
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
功耗（最大）：
100W (Tc)
供应商设备包：
TO-263AA
场效应管特性：
Depletion Mode
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
27 nC @ 5 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
1.6A (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
645 pF @ 25 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
10Ohm @ 800mA, 0V
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：1721
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