IXTP1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
部件编号:
IXTP1R6N100D2
替代型号:
IXTP08N100D2  ,  IXTY1R6N100D2  ,  IXTP3N100D2
制造商:
Littelfuse / IXYS RF
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
RoHS:
YES
IXTP1R6N100D2 规格
安装类型:
Through Hole
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(最大):
±20V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
10V
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱:
TO-220-3
漏源电压 (Vdss):
1000 V
供应商设备包:
TO-220-3
功耗(最大):
100W (Tc)
场效应管特性:
Depletion Mode
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
27 nC @ 5 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
1.6A (Tc)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
645 pF @ 25 V
Rds On(最大)@Id、Vgs:
10Ohm @ 800mA, 0V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
数量
单价
国际价格
1
3.89
3.89
50
3.08
154
100
2.64
264
500
2.35
1175
1000
2.01
2010
2000
1.89
3780
5000
1.82
9100
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