IXTY1R6N50D2
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
部件编号：
IXTY1R6N50D2
替代型号：
IXTY1R6N50D2-TRL , IXTY1R6N50D2-TRL , SEAM-20-01-S-06-1-RA-K-TR , IXTK32P60P , SEAF-20-06.0-S-06-1-A-K-TR , S558-5999-Z5-F , RFN2LAM6STFTR , SMBJ7.5CD-M3/H , FMMT459QTA , DN2450K4-G , IXTA3N100D2 , S558-5999-AT-F , IXTA08N100D2
制造商：
Wickmann / Littelfuse
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
RoHS：
YES
IXTY1R6N50D2 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备包：
TO-252AA
漏源电压 (Vdss)：
500 V
功耗（最大）：
100W (Tc)
场效应管特性：
Depletion Mode
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
1.6A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
2.3Ohm @ 800mA, 0V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
23.7 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
645 pF @ 25 V
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标准包装数量：1600
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