IXTA08N100D2
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
部件编号：
IXTA08N100D2
替代型号：
IXTA08N100D2-TRL , IXTA08N100D2-TRL , BSS159NH6327XTSA2 , IXTA3N100D2 , 5976601607F , 0430450818 , 5976401607F , IXTA1R6N100D2 , DF60-2P-10.16DSA(27) , 5976301607F , SMAJ550-M3/61 , 74651194R , 5976901607F , IXTA08N100D2HV , ACT45B-510-2P-TL003 , IXTP08N100D2
制造商：
Littelfuse / IXYS RF
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
RoHS：
YES
IXTA08N100D2 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
1000 V
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
功耗（最大）：
60W (Tc)
供应商设备包：
TO-263AA
场效应管特性：
Depletion Mode
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
800mA (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
325 pF @ 25 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
21Ohm @ 400mA, 0V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
14.6 nC @ 5 V
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标准包装数量：7090
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