IPB019N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
部件编号:
IPB019N08N3GATMA1
替代型号:
IPB180N08S402ATMA1  ,  BSZ070N08LS5ATMA1  ,  IPF014N08NF2SATMA1  ,  MAX5934AEEE+  ,  IXFT220N20X3HV  ,  IPB015N08N5ATMA1  ,  CP2102N-A02-GQFN28R  ,  IPB017N10N5ATMA1  ,  USB005  ,  TFZVTR7.5B  ,  MAX5934EEE+  ,  AXA003A0X-SRZ  ,  MMBT489LT1G  ,  IPB180N06S4H1ATMA2  ,  2N3501UB  ,  IRS10752LTRPBF  ,  1EDI60N12AFXUMA1  ,  1ED44173N01BXTSA1  ,  IRS21271STRPBF  ,  IRS4427STRPBF  ,  2ED2184S06FXUMA1  ,  2ED24427N01FXUMA1  ,  2EDL23N06PJXUMA1  ,  2ED2110S06MXUMA1
制造商:
IR (Infineon Technologies)
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
RoHS:
YES
IPB019N08N3GATMA1 规格
安装类型:
Surface Mount
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
6V, 10V
Vgs(最大):
±20V
工作温度:
-55°C ~ 175°C (TJ)
漏源电压 (Vdss):
80 V
功耗(最大):
300W (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
1.9mOhm @ 100A, 10V
包装/箱:
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
180A (Tc)
供应商设备包:
PG-TO263-7
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
206 nC @ 10 V
Vgs(th)(最大值)@Id:
3.5V @ 270µA
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
14200 pF @ 40 V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:9222
数量
单价
国际价格
1000
3.83
3830
2000
3.59
7180
温馨提示:请填写下面的表格。我们会尽快与您联系。
公司名称:
请输入公司名称
姓名:
请输入姓名
电话:
请输入电话
邮箱:
请输入邮箱
数量:
请输入数量
描述:
请输入描述
验证码:
请输入验证码