IPB019N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
部件编号：
IPB019N08N3GATMA1
替代型号：
IPB180N08S402ATMA1 , BSZ070N08LS5ATMA1 , IPF014N08NF2SATMA1 , MAX5934AEEE+ , IXFT220N20X3HV , IPB015N08N5ATMA1 , CP2102N-A02-GQFN28R , IPB017N10N5ATMA1 , USB005 , TFZVTR7.5B , MAX5934EEE+ , AXA003A0X-SRZ , MMBT489LT1G , IPB180N06S4H1ATMA2 , 2N3501UB , IRS10752LTRPBF , 1EDI60N12AFXUMA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2ED24427N01FXUMA1 , 2EDL23N06PJXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
RoHS：
YES
IPB019N08N3GATMA1 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
6V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
80 V
功耗（最大）：
300W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1.9mOhm @ 100A, 10V
包装/箱：
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
180A (Tc)
供应商设备包：
PG-TO263-7
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
206 nC @ 10 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
3.5V @ 270µA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
14200 pF @ 40 V
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