IRLR3915TRPBF
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
部件编号:
IRLR3915TRPBF
替代型号:
IRLR3915PBF  ,  RD3L03BATTL1  ,  ADM3058EBRIZ-RL  ,  2SAR582D3TL1  ,  BD9611MUV-E2  ,  TL431S  ,  DA1206D301R-10  ,  GSFP6901  ,  PYBE30-Q24-S24  ,  TL431KB-TP  ,  NP100P06PDG-E1-AY  ,  MP2759AGQ-0000-P  ,  IRLML6302TRPBF  ,  SPBW03F-03  ,  MMBT2222ALT1G  ,  IRF614SPBF  ,  IRS2005STRPBF  ,  IRS10752LTRPBF  ,  1ED44173N01BXTSA1  ,  6EDL04N02PRXUMA1  ,  IRS21271STRPBF  ,  IRS4427STRPBF  ,  2EDF7275KXUMA1
制造商:
IR (Infineon Technologies)
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
RoHS:
YES
IRLR3915TRPBF 规格
安装类型:
Surface Mount
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度:
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装/箱:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
漏源电压 (Vdss):
55 V
Vgs(th)(最大值)@Id:
3V @ 250µA
供应商设备包:
TO-252AA (DPAK)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
5V, 10V
Vgs(最大):
±16V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
30A (Tc)
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
92 nC @ 10 V
功耗(最大):
120W (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
14mOhm @ 30A, 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
1870 pF @ 25 V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:8312
数量
单价
国际价格
2000
0.66
1320
6000
0.63
3780
10000
0.61
6100
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