IRLR3915TRPBF
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
部件编号：
IRLR3915TRPBF
替代型号：
IRLR3915PBF , RD3L03BATTL1 , ADM3058EBRIZ-RL , 2SAR582D3TL1 , BD9611MUV-E2 , TL431S , DA1206D301R-10 , GSFP6901 , PYBE30-Q24-S24 , TL431KB-TP , NP100P06PDG-E1-AY , MP2759AGQ-0000-P , IRLML6302TRPBF , SPBW03F-03 , MMBT2222ALT1G , IRF614SPBF , IRS2005STRPBF , IRS10752LTRPBF , 1ED44173N01BXTSA1 , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2EDF7275KXUMA1
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
RoHS：
YES
IRLR3915TRPBF 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
漏源电压 (Vdss)：
55 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
3V @ 250µA
供应商设备包：
TO-252AA (DPAK)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
5V, 10V
Vgs（最大）：
±16V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
30A (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
92 nC @ 10 V
功耗（最大）：
120W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
14mOhm @ 30A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1870 pF @ 25 V
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：8312
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