IRF2807ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
部件编号:
IRF2807ZSTRLPBF
替代型号:
IRF2807ZSPBF  ,  IRF2807ZSTRRPBF  ,  VS-20CTH03S-M3  ,  IXTA36N30P  ,  ACM2520-301-2P-T002  ,  RBR10BM30ATL  ,  YC164-FR-076K8L  ,  IRF2805STRLPBF  ,  RBQ15BM65AFHTL  ,  MEM2012F10R0  ,  BLM15HD182SN1D  ,  IRFR2905ZTRPBF  ,  CA064C104M4RAC7800  ,  BAT54  ,  VS-10BQ100-M3/5BT  ,  FDB045AN08A0  ,  M24128-DRDW3TP/K  ,  IRS10752LTRPBF  ,  1ED44173N01BXTSA1  ,  6EDL04N02PRXUMA1  ,  IRS21271STRPBF  ,  IRS4427STRPBF  ,  2ED2184S06FXUMA1  ,  2EDL23N06PJXUMA1  ,  2ED2110S06MXUMA1
制造商:
IR (Infineon Technologies)
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
RoHS:
YES
IRF2807ZSTRLPBF 规格
安装类型:
Surface Mount
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(最大):
±20V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
10V
工作温度:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th)(最大值)@Id:
4V @ 250µA
包装/箱:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备包:
D2PAK
漏源电压 (Vdss):
75 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
75A (Tc)
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
110 nC @ 10 V
功耗(最大):
170W (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
9.4mOhm @ 53A, 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
3270 pF @ 25 V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:2484
数量
单价
国际价格
800
1.45
1160
1600
1.23
1968
2400
1.17
2808
5600
1.12
6272
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