IRF2807ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
部件编号：
IRF2807ZSTRLPBF
替代型号：
IRF2807ZSPBF , IRF2807ZSTRRPBF , VS-20CTH03S-M3 , IXTA36N30P , ACM2520-301-2P-T002 , RBR10BM30ATL , YC164-FR-076K8L , IRF2805STRLPBF , RBQ15BM65AFHTL , MEM2012F10R0 , BLM15HD182SN1D , IRFR2905ZTRPBF , CA064C104M4RAC7800 , BAT54 , VS-10BQ100-M3/5BT , FDB045AN08A0 , M24128-DRDW3TP/K , IRS10752LTRPBF , 1ED44173N01BXTSA1 , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2EDL23N06PJXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
RoHS：
YES
IRF2807ZSTRLPBF 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备包：
D2PAK
漏源电压 (Vdss)：
75 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
75A (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
110 nC @ 10 V
功耗（最大）：
170W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
9.4mOhm @ 53A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
3270 pF @ 25 V
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标准包装数量：2484
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