SI5515DC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 4.4A/3A 1206-8
部件编号：
SI5515DC-T1-E3
替代型号：
NTHD3100CT1G , NJVMJD32T4G , TT8M2TR , LM5155QDSSRQ1 , SI5515CDC-T1-E3 , SI7868ADP-T1-E3 , SI1865DDL-T1-GE3 , SI4816BDY-T1-E3 , RB520S-30-TP , SI4874BDY-T1-E3 , VNN7NV04PTR-E , LM5155QDSSTQ1 , MBRS340T3G , WF200C , SN74CBTLV1G125DCKR
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET N/P-CH 20V 4.4A/3A 1206-8
RoHS：
YES
SI5515DC-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
8-SMD, Flat Lead
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
配置：
N and P-Channel
场效应管特性：
Logic Level Gate
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
1V @ 250µA
漏源电压 (Vdss)：
20V
功率 - 最大：
1.1W
供应商设备包：
1206-8 ChipFET™
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
7.5nC @ 4.5V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
40mOhm @ 4.4A, 4.5V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4.4A, 3A
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