SI4946BEY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
部件编号：
SI4946BEY-T1-E3
替代型号：
BSS138LT1G , 1N4148W , ZXMN10B08E6TA , SH8KC6TB1 , ADA4932-1YCPZ-R7 , OSTYK33104030 , 0452001.MRL , LTC4365HTS8-1#TRPBF , KT11P2SM34LFS , LTC4367IMS8#PBF , BNX022-01L , G6DN-1A-CF DC24 , BC857BV-TP , 651005136421 , BLM18KG260TN1D
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
RoHS：
YES
SI4946BEY-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
3V @ 250µA
配置：
2 N-Channel (Dual)
漏源电压 (Vdss)：
60V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
25nC @ 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6.5A
Rds On（最大）@Id、Vgs：
41mOhm @ 5.3A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
840pF @ 30V
功率 - 最大：
3.7W
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