SI4936BDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
部件编号：
SI4936BDY-T1-E3
替代型号：
FSMSM , 2N7002K-T1-E3 , SI4946BEY-T1-E3 , SI4931DY-T1-GE3 , 9852-05-00TR , LMQ61460AASRJRR , SI8487DB-T1-E1 , FDMC8360L , MAX9914EXK+T , TPS56C230RJER , TZ1430A , ACM2012-900-2P-T001 , FDN337N , MMDTA42-7-F , 1-2199119-6
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
RoHS：
YES
SI4936BDY-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)：
30V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
3V @ 250µA
配置：
2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大：
2.8W
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
15nC @ 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6.9A
Rds On（最大）@Id、Vgs：
35mOhm @ 5.9A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
530pF @ 15V
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