SI4925BDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
部件编号：
SI4925BDY-T1-E3
替代型号：
STD60NF06T4 , PMEG60T50ELPX , SI4925BDY-T1-GE3 , AO4813 , STD10NF30 , RLP-40+ , SI2318CDS-T1-GE3 , TJA1044GT/3Z , SI4435DDY-T1-E3 , ICM-42605 , MBRM140T3G , SB840 , PMBT3904 , 215 , LTC3864HMSE#PBF , FDS4935BZ
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
RoHS：
YES
SI4925BDY-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)：
30V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
3V @ 250µA
配置：
2 P-Channel (Dual)
功率 - 最大：
1.1W
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
5.3A
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
50nC @ 10V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
25mOhm @ 7.1A, 10V
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