SI4900DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
部件编号：
SI4900DY-T1-E3
替代型号：
DA7217-00U32 , R7FA6M3AH3CLK#AC0 , DF65-6P-1.7V(21) , AP63203WU-7 , MCP2515T-I/ML , SH8K32GZETB , AP63205WU-7 , PPPC202LFBN-RC , SMF4L33CA , DF2S6.2CT , L3F , KSZ8091RNAIA-TR , ALT3232M-151-T001 , ECS-80-12-33-JGN-TR , TLV73325PQDRVRQ1 , TCAN1042VDRBTQ1
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
RoHS：
YES
SI4900DY-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
3V @ 250µA
配置：
2 N-Channel (Dual)
漏源电压 (Vdss)：
60V
功率 - 最大：
3.1W
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
5.3A
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
20nC @ 10V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
58mOhm @ 4.3A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
665pF @ 15V
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