FDFMA2P857
MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
FDFMA2P857 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
6-VDFN Exposed Pad
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
漏源电压 (Vdss)：
20 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
3A (Ta)
功耗（最大）：
1.4W (Ta)
Vgs（最大）：
±8V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
1.8V, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.3V @ 250µA
供应商设备包：
6-MicroFET (2x2)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
120mOhm @ 3A, 4.5V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
6 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
435 pF @ 10 V
场效应管特性：
Schottky Diode (Isolated)
