FQB34N20LTM

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

FQB34N20LTM
零件编号:
FQB34N20LTM
产品分类:
Sanyo Semiconductor/onsemi
描述:
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
ROHS状态:
Yes

FQB34N20LTM 规格

安装类型:
Surface Mount
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(最大):
±20V
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包:
TO-263 (D2PAK)
Vgs(th)(最大值)@Id:
2V @ 250µA
包装/箱:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
漏源电压 (Vdss):
200 V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
5V, 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
3900 pF @ 25 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
31A (Tc)
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
72 nC @ 5 V
Rds On(最大)@Id、Vgs:
75mOhm @ 15.5A, 10V
功耗(最大):
3.13W (Ta), 180W (Tc)

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