APT1001RBVFRG
MOSFET N-CH 1000V 11A TO247
APT1001RBVFRG 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
1000 V
包装/箱：
TO-247-3
供应商设备包：
TO-247 [B]
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 1mA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
150 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
11A (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
3050 pF @ 25 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1Ohm @ 5.5A, 10V
