NTD65N03R-1G
MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A IPAK
NTD65N03R-1G 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
2V @ 250µA
包装/箱：
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
漏源电压 (Vdss)：
25 V
供应商设备包：
IPAK
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
9.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
8.4mOhm @ 30A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
16 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1400 pF @ 20 V
功耗（最大）：
1.3W (Ta), 50W (Tc)
