SPB80N03S2L-03 G
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
SPB80N03S2L-03 G 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
30 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
2V @ 250µA
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
功耗（最大）：
300W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
80A (Tc)
供应商设备包：
PG-TO263-3-2
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
220 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
2.8mOhm @ 80A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
8180 pF @ 25 V
