IPD09N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPD09N03LB G 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
30 V
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
50A (Tc)
功耗（最大）：
58W (Tc)
供应商设备包：
PG-TO252-3-11
Vgs(th)（最大值）@Id：
2V @ 20µA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
13 nC @ 5 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
9.1mOhm @ 50A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1600 pF @ 15 V
