BSO200N03
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
BSO200N03 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包：
PG-DSO-8
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)：
30V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
配置：
2 N-Channel (Dual)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6.6A
功率 - 最大：
1.4W
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1010pF @ 15V
Vgs(th)（最大值）@Id：
2V @ 13µA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
8nC @ 5V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
20mOhm @ 7.9A, 10V
