FDS4935BZ
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
部件编号：
FDS4935BZ
替代型号：
FDS6912A , B3U-1000P , TPD4E001DBVR , AO4805 , SI9926CDY-T1-E3 , BAT46WJ , 115 , V8PM45HM3/H , FDS6975 , ACPL-227-500E , SI4925DDY-T1-GE3 , STM32F205RGT6 , INA226AIDGSR , ULQ2803A , 5015 , NTR2101PT1G
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
RoHS：
YES
FDS4935BZ 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)：
30V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
3V @ 250µA
配置：
2 P-Channel (Dual)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
40nC @ 10V
功率 - 最大：
900mW
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6.9A
Rds On（最大）@Id、Vgs：
22mOhm @ 6.9A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1360pF @ 15V
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