FDFMA3N109
MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
部件编号：
FDFMA3N109
替代型号：
NTLJF4156NT1G
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
RoHS：
YES
FDFMA3N109 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
6-VDFN Exposed Pad
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
功耗（最大）：
1.5W (Ta)
漏源电压 (Vdss)：
30 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
2.5V, 4.5V
Vgs（最大）：
±12V
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.5V @ 250µA
供应商设备包：
6-MicroFET (2x2)
场效应管特性：
Schottky Diode (Isolated)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
3 nC @ 4.5 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
2.9A (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
220 pF @ 15 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
123mOhm @ 2.9A, 4.5V
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