FQPF9P25YDTU
MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
FQPF9P25YDTU 规格
安装类型：
Through Hole
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
Vgs（最大）：
±30V
漏源电压 (Vdss)：
250 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
5V @ 250µA
功耗（最大）：
50W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6A (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
38 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1180 pF @ 25 V
包装/箱：
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
供应商设备包：
TO-220F-3 (Y-Forming)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
620mOhm @ 3A, 10V
