GPA030A135MN-FDR
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Номер компонента：
GPA030A135MN-FDR
Производитель：
SemiQ
Категория：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
Описание：
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
РОХС：
YES
GPA030A135MN-FDR Спецификация
Тип монтажа：
Through Hole
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип БТИЗ：
Trench Field Stop
Пакет/кейс：
TO-3P-3, SC-65-3
Тип ввода：
Standard
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)：
60 A
Ток-коллекторный импульсный (Icm)：
90 A
Пакет устройств поставщика：
TO-3PN
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：
2.4V @ 15V, 30A
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)：
1350 V
Время обратного восстановления (trr)：
450 ns
Мощность - Макс.：
329 W
Td (вкл/выкл) при 25°C：
30ns/145ns
Заряд от ворот：
300 nC
Условия испытания：
600V, 30A, 5Ohm, 15V
Переключение энергии：
4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Продукты, которые могут вас заинтересовать
FGH75T65SHD-F155
IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
$7.33
Больше заказов
FGH60T65SHD-F155
IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247-3
$5.53
Больше заказов
FGH40T65SHD-F155
IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
$4.15
Больше заказов
FGA25S125P-SN00337
IGBT TRENCH/FS 1250V 50A TO3PN
Больше заказов
IRGS4715DPBF
IGBT 650V D2-PAK
Больше заказов
IRGP4790PBF
IGBT 650V TO-247
Больше заказов
IRGP4790-EPBF
IGBT 650V TO-247
Больше заказов
IRGP4790DPBF
IGBT 650V TO-247
Больше заказов
IRGP4790D-EPBF
IGBT 650V 140A TO247AD
Больше заказов
IRGP4760PBF
IGBT 650V TO-247
Больше заказов
IRGP4760-EPBF
IGBT 650V TO-247
Больше заказов
IRGP4760DPBF
IGBT 650V TO-247
Больше заказов
IRGP4760D-EPBF
IGBT 650V TO-247
Больше заказов
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя：Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки：1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
atla@hk-atla.com
Copyright@2025 All Rights Reserved
