SIR438DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Номер компонента:
SIR438DP-T1-GE3
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
РОХС:
YES
SIR438DP-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
25 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
60A (Tc)
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® SO-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
105 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
1.8mOhm @ 20A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
4560 pF @ 10 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1861
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.94
2820
6000
0.89
5340
9000
0.87
7830
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.