SI7302DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 220V 8.4A PPAK1212-8
Номер компонента:
SI7302DN-T1-GE3
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 220V 8.4A PPAK1212-8
РОХС:
YES
SI7302DN-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
21 nC @ 10 V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 250µA
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® 1212-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® 1212-8
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
8.4A (Tc)
Рассеиваемая мощность (макс.):
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
645 pF @ 15 V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
220 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
320mOhm @ 2.3A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
1.39
4170
6000
1.34
8040
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.