SI7149DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Номер компонента:
SI7149DP-T1-GE3
Альтернативная модель:
DLW21SN900SQ2L  ,  SBRD10200  ,  NTMYS7D3N04CLTWG  ,  SI7149ADP-T1-GE3  ,  NCV8413DTRKG  ,  RSM200S-32.768-12.5-10PPM-NPB  ,  MBT3904DW1T1H  ,  SISA14DN-T1-GE3  ,  PESD5V0X1BCSFYL  ,  QH8KA4TCR  ,  TCR3DF40  ,  LM(CT  ,  R-668127  ,  CSD17551Q5A  ,  SML-LX0402SUGC-TR  ,  QH8MA4TCR
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
РОХС:
YES
SI7149DP-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.5V @ 250µA
Тип полевого транзистора:
P-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30 V
ВГС (Макс):
±25V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
50A (Tc)
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® SO-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (макс.):
69W (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
5.2mOhm @ 15A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
147 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
4590 pF @ 15 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:27466
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.76
2280
6000
0.73
4380
9000
0.7
6300
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.