SI4932DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Номер компонента:
SI4932DY-T1-GE3
Альтернативная модель:
SI4804CDY-T1-GE3  ,  SQ4920EY-T1_GE3  ,  BSO150N03MDGXUMA1
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
РОХС:
YES
SI4932DY-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Пакет устройств поставщика:
8-SOIC
Пакет/кейс:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Особенность полевого транзистора:
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.5V @ 250µA
Конфигурация:
2 N-Channel (Dual)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
8A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
15mOhm @ 7A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
48nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
1750pF @ 15V
Мощность - Макс.:
3.2W
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:2081
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
2500
0.62
1550
5000
0.58
2900
12500
0.56
7000
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.