SI4866BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 21.5A 8SO
Номер компонента:
SI4866BDY-T1-E3
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 12V 21.5A 8SO
РОХС:
YES
SI4866BDY-T1-E3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Пакет устройств поставщика:
8-SOIC
Пакет/кейс:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
12 V
ВГС (Макс):
±8V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
1V @ 250µA
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
1.8V, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
80 nC @ 4.5 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
21.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
5.3mOhm @ 12A, 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
5020 pF @ 6 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
4.45W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.