SI4455DY-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Номер компонента:
SI4455DY-T1-E3
Альтернативная модель:
0433AT62A0020001E  ,  0433BM41A0019001E  ,  LT8609AJDDM#TRPBF  ,  FDS86267P  ,  PIC16F15224-I/MG  ,  TPH1500CNH  ,  L1Q  ,  MCP1793T-5002H/OT  ,  SI4455DY-T1-GE3  ,  BSS123  ,  MAX6390XS17D4+T  ,  FDMS86255ET150  ,  FDMS86263P  ,  FQT4N20LTF  ,  67997-404HLF  ,  ECS-2033-500-BN
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
РОХС:
YES
SI4455DY-T1-E3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Пакет устройств поставщика:
8-SOIC
Пакет/кейс:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
P-Channel
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 250µA
Напряжение стока к источнику (Vdss):
150 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
1190 pF @ 50 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
42 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
2.8A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
295mOhm @ 4A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.):
3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:7628
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
2500
0.99
2475
5000
0.96
4800
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.