FQD8P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Номер компонента:
FQD8P10TM-F085
Альтернативная модель:
IRFR9120NTRPBF  ,  LMR33640ADDAR  ,  FQD8P10TM  ,  1726480102  ,  FQD11P06TM  ,  IRFR9120NTRLPBF  ,  0039301060  ,  MCAC38N10YHE3-TP  ,  SQJ479EP-T1_GE3  ,  173081-3  ,  FQD7P20TM  ,  MCP6476T-E/OT  ,  NVMFS040N10MCLT1G  ,  MTE5116N5  ,  0436500401
Производитель:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
РОХС:
YES
FQD8P10TM-F085 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Оценка:
Automotive
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
100 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
P-Channel
Квалификация:
AEC-Q101
ВГС (Макс):
±30V
Пакет/кейс:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 250µA
Пакет устройств поставщика:
TO-252AA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
15 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
6.6A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
530mOhm @ 3.3A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
470 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:4162
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
2500
0.61
1525
5000
0.58
2900
12500
0.55
6875
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.