SIR846DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Номер компонента:
SIR846DP-T1-GE3
Альтернативная модель:
BUK6Y33-60PX  ,  SIR882ADP-T1-GE3  ,  SIR846ADP-T1-GE3  ,  SI7178DP-T1-GE3  ,  SIR870ADP-T1-GE3
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
РОХС:
YES
SIR846DP-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
100 V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
7.5V, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
3.5V @ 250µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
60A (Tc)
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® SO-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (макс.):
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
72 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
7.8mOhm @ 20A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
2870 pF @ 50 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:4600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
1.2
3600
6000
1.16
6960
9000
1.11
9990
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.