IRF6201PBF
MOSFET N-CH 20V 27A 8SO
Номер компонента:
IRF6201PBF
Альтернативная модель:
IRF6201TRPBF
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 20V 27A 8SO
РОХС:
YES
IRF6201PBF Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Пакет/кейс:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика:
8-SO
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
2.5V, 4.5V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
20 V
ВГС (Макс):
±12V
Рассеиваемая мощность (макс.):
2.5W (Ta)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
27A (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
1.1V @ 100µA
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
2.45mOhm @ 27A, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
195 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
8555 pF @ 16 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.