IRF6706S2TR1PBF
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Номер компонента:
IRF6706S2TR1PBF
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
РОХС:
NO
IRF6706S2TR1PBF Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
25 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
20 nC @ 4.5 V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.35V @ 25µA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
1810 pF @ 13 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
17A (Ta), 63A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
3.8mOhm @ 17A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.):
1.8W (Ta), 26W (Tc)
Пакет устройств поставщика:
DirectFET™ Isometric S1
Пакет/кейс:
DirectFET™ Isometric S1
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:2438
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.