IPI80P03P4L07AKSA1
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
Номер компонента:
IPI80P03P4L07AKSA1
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
РОХС:
NO
IPI80P03P4L07AKSA1 Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
P-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
80 nC @ 10 V
Пакет/кейс:
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
80A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
5700 pF @ 25 V
ВГС (Макс):
+5V, -16V
Пакет устройств поставщика:
PG-TO262-3
Рассеиваемая мощность (макс.):
88W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2V @ 130µA
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
7.2mOhm @ 80A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.