IPD30N03S2L20ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31
Номер компонента:
IPD30N03S2L20ATMA1
Альтернативная модель:
IPD135N03LGATMA1  ,  IPD30N03S4L14ATMA1  ,  IRLR8259TRPBF  ,  ZXMN3A04KTC  ,  IPD70N03S4L04ATMA1  ,  AUIR2085STR  ,  TLE9180D31QKXUMA1  ,  AUIRB24427STR
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31
РОХС:
YES
IPD30N03S2L20ATMA1 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30 V
Пакет/кейс:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Рассеиваемая мощность (макс.):
60W (Tc)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
30A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
19 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика:
PG-TO252-3-11
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
530 pF @ 25 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
20mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2V @ 23µA
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:6635
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
2500
0.45
1125
5000
0.43
2150
12500
0.41
5125
25000
0.41
10250
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.