IPD135N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
Номер компонента:
IPD135N08N3GBTMA1
Альтернативная модель:
IPD135N08N3GATMA1
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
РОХС:
NO
IPD135N08N3GBTMA1 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
6V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакет/кейс:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Рассеиваемая мощность (макс.):
79W (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
80 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
25 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика:
PG-TO252-3
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
45A (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
3.5V @ 33µA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
1730 pF @ 40 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
13.5mOhm @ 45A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.