SI7450DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Номер компонента:
SI7450DP-T1-GE3
Альтернативная модель:
OPA462IDDA  ,  TS5A3359DCUT  ,  SI7450DP-T1-E3  ,  BSC047N08NS3GATMA1  ,  PDS5100-13  ,  ADS8688AIDBT  ,  FMMT596TA  ,  FDMS2672  ,  SI7431DP-T1-GE3  ,  ZXMP3A17E6TA  ,  AD9958BCPZ  ,  TTETALSANF-25.000000  ,  74LVC1G14GV  ,  125  ,  R12-150B  ,  ADA4099-2BRMZ
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
РОХС:
YES
SI7450DP-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
6V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4.5V @ 250µA
Напряжение стока к источнику (Vdss):
200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
42 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® SO-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® SO-8
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
80mOhm @ 4A, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
3.2A (Ta)
Рассеиваемая мощность (макс.):
1.9W (Ta)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:6985
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
1.39
4170
6000
1.33
7980
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.